工作职责
1、负责GaN HEMT产品设计与开发工作；
2、负责GaN HEMT产品仿真和版图设计；
3、负责GaN HEMT产品设计文件，工艺文件及测试文件制定；
4、负责GaN器件可靠性分析及表征；
5、负责GaN器件专利策划与布局。
任职资格
1、全日制本科以上学历，微电子、材料、电气、电子等理工科类相关专业；
2、3年以上GaN HEMT功率芯片研发的相关经验，并有负责开发≥1款产品，并实现批量生产；
3、对GaN HEMT器件制备工艺流程和器件原理有充分理解；
4、熟悉GaN HEMT可靠性测试以及评价体系；
5、熟练使用Sentaurus或Silvaco仿真软件进行GaN HEMT器件仿真；
6、具备较好的协调沟通能力和问题分析能力。
